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2025-07-23T10:50:45+00:00
从全域800V的要求来说，保时捷的那个800V并不是全域的。
首辆非全域800V的车是比亚迪的唐DM。
首辆全域800V的车是小鹏G9。
首辆全域1000V的车是比亚迪的汉L，唐L EV。
先科普一下，常说的碳化硅电控芯片其实指的是电控的功率模块内部的芯片。在最早的电动车里用的是mos管，但电压上不去，功率也做不大，后来有了IGBT，也是现在用的最广泛的，但是电压到700V就到头了。
但不是说800V的平台就不能用IGBT，毕竟550V的电压以上就可以叫800V了，保时捷也是这样做的，他的电控并不是全域800V的概念。
但是2015年第一代唐DM，电池电压712V，最高充电电压820V，证明了在IGBT领域比亚迪也是领先的，而且是首个800V。
后来车载的碳化硅 mos管开始应用，早期小鹏G6搭载800V级的。目前最强的来自比亚迪，标压1200V，耐压可以做到1500V。
其实比亚迪在之前的车里用的都是IGBT，因为是自研自产的，成本较低，而且技术水平较高，所以就这样一路用到800V的水平，也是IGBT，所以早期唐DM那块功率刀片就是712V，但配套的肯定是IGBT，这也是非全域800V。
所以既然都是非全域800V，那比亚迪的800V在前，自然也是首创了。
而到了碳化硅时代，别家率先推出的全域800V，采购当时的先进芯片。而比亚迪稳扎稳打，自研自产，试作品就高达1050V，所以说未来即便电池到了1200V，电控也不用换。在友商刚推出全域800V的同时比亚迪也建设碳化硅厂房，后来量产的1200V更是领先业界。由于提早布局了厂房与技术，现在碳化硅mos可以大量产出，完全满足自己的新车。
[img]https://img.nga.178.com/attachments/mon_202507/25/-7da9Q8kfc-gwouK13T3cSi2-sg.jpg[/img]
所以说碳化硅时代，比亚迪的领先真的是领先两代。1200V的碳化硅mos可以在两个世代电池的更新后保持领先。而且廉总说的事想多多高就做多高，上限远不止于此。
[quote][pid=833396333,44694730,1]Reply[/pid] Post by [uid=63405116]呐呐娜娜[/uid] (2025-07-25 19:03):
所以说碳化硅时代，比亚迪的领先真的是领先两代。1200V的碳化硅mos可以在两个世代电池的更新后保持领先。而且廉总说的事想多多高就做多高，上限远不止于此。[/quote]电气化技术一点不差，但是app和内饰设计什么时候能跟上时代
[quote][pid=833397483,44694730,1]Reply[/pid] Post by [uid=211647]小子贼帅[/uid] (2025-07-25 19:14):
卖车真的不能光靠技术，比亚迪得要好好反思反思[/quote]这个我也吐槽了，但现在谈论的是技术。
别讲解技术了，讲啥都被人骂，学理不学文，天天尽丑闻，多招点文科新闻学集美吧[s:ac:哭笑]
比亚迪给乐道L60供货那个60度电池包很有意思，689V额定电压，88Ah，容量60度，满电电压782V，这样小的电池有这样高的电压很厉害。(虽然没达到蔚来宣传的900V)但充放电能力一般，充电最高167KW。
[quote][pid=833397715,44694730,1]Reply[/pid] Post by [uid=65190524]前朝老表[/uid] (2025-07-25 19:16):
别讲解技术了，讲啥都被人骂，学理不学文，天天尽丑闻，多招点文科新闻学集美吧[s:ac:哭笑][/quote]在招了在招了[s:ac:哭笑]
这不又刚招了一万应届生吗，希望里面能有点搞文科的人才。[s:ac:哭笑]
传统全域xxxV包含空调系统和其他高压电器系统
保时捷和现代最早搞800v的我记得只有电池和电机，其他高压电器设备只有400V平台还要一套dcdc变压器
后面几年800平台空调系统出来，以后才有几个说自己全域800v高压
[quote][pid=833397715,44694730,1]Reply[/pid] Post by [uid=65190524]前朝老表[/uid] (2025-07-25 19:16):
别讲解技术了，讲啥都被人骂，学理不学文，天天尽丑闻，多招点文科新闻学集美吧[s:ac:哭笑][/quote]集美多了给你把杨笠傅首尔请来当代言人展示#女性力量，你就老实了[s:ac:哭笑]
期待明年全域1200V兆瓦闪充的效果啊 U7L一定要支棱起来
比亚迪不缺技术，发展太快，产品经理和管理层大部分都是废物，能力大部分跟不上比亚迪的发展，毕竟从比3万到比300万太快了，当年那些人比3万到比300万够用，但是再往后增长就可能不够用了。
典型的早期老东西上位占着茅坑不拉屎，说的就是傻逼何志奇这种为代表的人物。[s:ac:惊]
Reply to [pid=833407216,44694730,1]Reply[/pid] Post by [uid=24290657]RRRRBUA[/uid] (2025-07-25 20:45)
老登总会死在前面的 他能拖延5年10年 但是把视角拉到百年车企的发展角度 这些老登的影响就微乎其微了
[quote][pid=833404837,44694730,1]Reply[/pid] Post by [uid=39319392]NovYze[/uid] (2025-07-25 20:22):
集美多了给你把杨笠傅首尔请来当代言人展示#女性力量，你就老实了[s:ac:哭笑][/quote]那也比现在这种理工龟男形象的企业强 ，泊车兜底都能被全网带节奏黑得飞起，还在傻不愣登的做技术解释[s:ac:哭笑] 就该把迪子的营销和产品的高管全送去米那里做两年实习生，学学怎么讲故事
现在有一点可能是雷点，台积电说以后不流碳化硅的片了，byd估计是准备自己搞了，这个指标肯定会差不少的。
Reply to [pid=833409217,44694730,1]Reply[/pid] Post by [uid=62077375]luke4368[/uid] (2025-07-25 21:04)
正好应了船夫说过 他要是没造车那就去高芯片 世界线收束了
不懂碳化硅就不要科普了
1. 400V平台一般需要耐压等级750V的碳化硅mos，800V平台一般需要耐压等级1200V的SiC MOS，如果有1000V的平台，按比亚迪的说法是搞1500V耐压等级的SiC MOS，如果有1200V平台的话那大概也得是1700V耐压等级的SiC MOS，不过1700V的SiC MOS已经有了，现在光伏行业新的设计开始需求1700V和2200V耐压的SiC MOS，很多厂商都已经有相关产品，只不过是工规还没走车规流程罢了
2. 耐压水平主要看外延做多厚，比亚迪自己做材料水平很一般，至于芯片设计，都是平面栅的SiC MOS，结构很简单，只是看生产工艺。高端的是沟槽型MOS、超结等，国内目前没几家有
3. 台积电跟比亚迪的SiC MOS啥关系没有，台积电看不太上碳化硅这种落后制程的功率芯片。比亚迪最早的SiC MOS用的是博世和意法半导体的芯片，估计可能是比亚迪半导体自己封装的；2022-2023年开始，自己设计的SiC MOS芯片(存疑)，由芯联集成代工的(当时还叫中芯集成)；到了现在比亚迪的绍兴和宁波工厂在产比亚迪自己的SiC MOS芯片，当然之前的渠道还是有
4. 比亚迪的SiC MOS芯片肯定不是领先业界的，从技术来看，全球龙头英飞凌今年发布碳化硅沟槽栅超结震惊业界，普通沟槽栅所有国内厂商都是绕着英飞凌博世罗姆的挖槽专利走，平面栅的Wolfspeed、安森美也都很优秀，国内的芯联、清纯水平也很高；从出货来看，全球出货排名的意法、英飞凌、安森美、Wolfspeed、芯联、博世，今年的国内方正微、三安等出货也很多(方正微主要给X界的意法碳化硅芯片做国产替代，三安不怎么能上车)；从产能上看，全球头部企业都在宣称自己有/在建几十万片的产能，综合来看规划产能都是吹破天，但实际上基本就是排队等着亚舍利的高温离子注入机到货(该设备是碳化硅芯片产能瓶颈)
5. 比亚迪别的地方可能有独到技术，碳化硅上比亚迪就一般般，市面上没有谁采购弗迪的碳化硅动力总成，哪怕给自己用，从数量上也是比不过吉利的威睿(当然威睿用的不是自己的芯片，但后面自己要做了)
6. 看碳化硅水平高不高，从实际效果看主要看车的电耗和极限性能，出名的电耗低的企业：特斯拉 - 意法专供的芯片+Tpak模块，小鹏 - 汇川电控 - 英飞凌芯片，乐道 - Wolfspeed芯片+芯联封装，说极限性能的话，小米的四驱版都是英飞凌，极氪 - 意法，路特斯 - 罗姆
以上信息不100%保准，85%以上准确是没啥问题的
造车是系统工程，一辆汽车可能有两万多个零件，你老是强调我这些零件牛逼意义不大。消费者谁关心什么全域的，你要对标保时捷，大多人可能想到的是你双门跑车跑不过人家四门街车。
技术吹那么牛逼，电耗依托，续航不如第一梯队，到底是哪里出了问题？
不是，既然你们贷款吹的对象是以电气见长，那么学学电气知识行不行？
IGBT这块，英飞凌 三菱 IYXS 中车这些什么时候出3kV+的IGBT你们能查查不？现在耐压最大做到多少你们能查查不？
SiC MOS这块，国内有多少能做1700V的你知道不？
笛子技术是很强，但是每次看到类似明月那种满嘴技术的人在那鹦鹉学舌嗯堆名词，拿笛子的工作成果50步吹到一公里就很难绷
你呐呐不是以舅舅党见长吗，怎么也来装技术党了