3纳米芯片量产第二年了,什么时候1纳米

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KoreanInCuse

成本高 良品率低,订购手机厂少,研发分摊成本巨高
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Jaysumi

少了华为分摊成本,估计有点难了
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Tempt

1纳米超物理极限了吧呆
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♗ムんㄖ§†¥♗

早就工艺瓶颈了,台积电的n4p和n3b真的差距太小了
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Lauzt1

我记得好像从14nm过后,什么10/7/5/3都一个工艺名称而已,并不是指真正的多少多少nm工艺
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DarkAvenue

+ by [芳 这件事你怎么看] (undefined)

我记得好像从14nm过后,什么10/7/5/3都一个工艺名称而已,并不是指真正的多少多少nm工艺

这些多少纳米指的是特征长度,一般来说是晶体管的沟道长度而非整个器件的大小
制程再继续发展下去面临的问题除了量子效应逐渐显著外,导电沟道的长度会缩短到电子的平均自由程以下,器件的电学特性会产生很大的变化
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BKayyy

+ by [Arbalest0] (undefined)

1纳米超物理极限了吧呆

量子隧穿,但是好像是有突破,不是突破物理极限,是换了个方法。更换晶体管的叠加方式还是怎么来着,记不清了。
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DarkAvenue

+ by [skydmusf] (undefined)

量子隧穿,但是好像是有突破,不是突破物理极限,是换了个方法。更换晶体管的叠加方式还是怎么来着,记不清了。

先进制程下的量子效应目前还是难题,没有一个特别好的解决方案。
你指的可能是FinFET,鳍式晶体管;这种技术可以提升相同制程下晶体管的堆叠密度,但对于解决量子效应并没有什么益助
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Loon5587

台积电只有苹果一家大客户,英伟达显卡芯片用了吗?三星自产自销。