Jevan
2022-01-17T05:28:23+00:00
之前只知道国产已经到了完全能用的地步，不知道已经默默的走到了先进水平。当初为了规避之前的专利壁垒无奈选择最难的技术路线，今天已经完成超越。
以下转载zhihu回答：
作者：一水遮夏
先进到三星本来准备2025年推出类似xtacking的技术，却被长江存储捷足先登了。
这不是我瞎吹的，是三星电子CEO金奇南在最近IEDM上自己说的。
xtacking是一种非常典型的晶圆键合式系统级封装技术。长江存储和微电子所把3D NAND的存储单元和外围逻辑电路分别在两块晶圆上进行加工和制造，最终通过晶圆键合技术“粘在一起”。其实，xtacking技术并不是一个很新鲜的玩意儿，各家传统大厂很早就开始研究这项技术的应用了。但问题在于，各大厂发现，晶圆键合由于需要两片晶圆，再加上介质、对准等各种因素，导致这种技术的成本根本下不来。商业环境里评判一个技术的好坏，最关键的条件不是这个技术是否先进，而是这个技术是否能在低成本低损耗的情况下，进行大规模量产。xtacking并不是这样的技术。那长存为什么要走这条路？很简单，因为其他路被三星、海力士、美光、东芝、英特尔堵死了。这五家公司哪一家没在NAND领域耕耘了30年？英特尔还是第一块NAND的发明者。长存如果复制他们五个的路子技术壁垒无法打破不说，就算抄完了还有极大可能面对专利起诉，得不偿失。所以，长存和微电子所合作，选择了直接上xtacking这种看似无法大规模量产的技术。结果现在大家都看到了，长存128层TLC颗粒性能已经超越其他三家的128层产品了。更关键的是，随着3D NAND堆叠层数的增加，外围逻辑电路的面积也会随之暴涨。如果继续采用之前方案，在192层时代，一片晶圆可能只能切400个die出来。两片晶圆总共能切出800颗die。而采用xtacking技术的长存由于把逻辑电路放到另一片晶圆上，两片晶圆还是能切出1000颗die。这一对比，长存的成本优势立马就出来了。并且，长存由于率先上了xtacking，在64层的时候就把这技术的坑来来回回趟了好几遍。技术积累丰富不说，专利壁垒早就立起来了。现在搜一下“三维存储器”相关专利，长存在中国申请了将近2000个。。剩下几个公司加起来还不如长存多。xtacking在3年前还是不被看好的技术，在三年后的今天已经是超越三星、海力士、美光的技术。再往后推三年，xtacking可能就是最好的3D NAND技术。
以下转载zhihu回答：
作者：一水遮夏
先进到三星本来准备2025年推出类似xtacking的技术，却被长江存储捷足先登了。
这不是我瞎吹的，是三星电子CEO金奇南在最近IEDM上自己说的。
xtacking是一种非常典型的晶圆键合式系统级封装技术。长江存储和微电子所把3D NAND的存储单元和外围逻辑电路分别在两块晶圆上进行加工和制造，最终通过晶圆键合技术“粘在一起”。其实，xtacking技术并不是一个很新鲜的玩意儿，各家传统大厂很早就开始研究这项技术的应用了。但问题在于，各大厂发现，晶圆键合由于需要两片晶圆，再加上介质、对准等各种因素，导致这种技术的成本根本下不来。商业环境里评判一个技术的好坏，最关键的条件不是这个技术是否先进，而是这个技术是否能在低成本低损耗的情况下，进行大规模量产。xtacking并不是这样的技术。那长存为什么要走这条路？很简单，因为其他路被三星、海力士、美光、东芝、英特尔堵死了。这五家公司哪一家没在NAND领域耕耘了30年？英特尔还是第一块NAND的发明者。长存如果复制他们五个的路子技术壁垒无法打破不说，就算抄完了还有极大可能面对专利起诉，得不偿失。所以，长存和微电子所合作，选择了直接上xtacking这种看似无法大规模量产的技术。结果现在大家都看到了，长存128层TLC颗粒性能已经超越其他三家的128层产品了。更关键的是，随着3D NAND堆叠层数的增加，外围逻辑电路的面积也会随之暴涨。如果继续采用之前方案，在192层时代，一片晶圆可能只能切400个die出来。两片晶圆总共能切出800颗die。而采用xtacking技术的长存由于把逻辑电路放到另一片晶圆上，两片晶圆还是能切出1000颗die。这一对比，长存的成本优势立马就出来了。并且，长存由于率先上了xtacking，在64层的时候就把这技术的坑来来回回趟了好几遍。技术积累丰富不说，专利壁垒早就立起来了。现在搜一下“三维存储器”相关专利，长存在中国申请了将近2000个。。剩下几个公司加起来还不如长存多。xtacking在3年前还是不被看好的技术，在三年后的今天已经是超越三星、海力士、美光的技术。再往后推三年，xtacking可能就是最好的3D NAND技术。