KingClam
2020-04-17T07:11:20+00:00
从公开资料汇总做了一个表：
[img]https://img.nga.178.com/attachments/mon_202004/21/c4Q5-4346K1wT3cSxy-dg.jpg[/img]
简单总结一下：
1、虽然目前的制程命名都已经变成了文字游戏，但三星实在是注水的肆无忌惮。三星 3nm GAE的 密度大概只有 TSMC 3nm 的 60%，只比 TSMC 的 5nm 高一点。严格从密度来说，三星 3GAE 和台积电 N5 才算是一代产品。
2、从性能和功耗来看，台积电和三星半斤八两，三星由于使用了全新的 GAA 工艺有可能稍微领先一些。
3、FinFET 已是强弩之末，台积电 N3 逼近了 FinFET 的极限。台积电使用 FinFET 工艺却疯狂拉高密度，有可能重蹈 20nm 的覆辙。(台积电 20nm/16nm 的密度是一样的，但是保守的“20nm”还是使用了旧的 HKMG 工艺，热密度爆炸。“16nm” 换成 FinFET 之后才有质变。)
4、量产时间应该还是台积电会更靠谱些，但是三星 3GAE 由于使用了新工艺，说不定有弯道超车的可能。(不绝对，三星也是第一个用 EUV 做 7nm 的，还是不如 TSMC)
但是这个表格假设了 N7 和 7LPP一个水平，我觉得稍微有一些争议。我个人觉得 N7 还是比 7LPP 略好一些……
话说手机按照去年7nm，今年5nm，那明年就是3nm，后年就是1nm，大后年是不是就隐形了[s:ac:咦]
[quote][pid=415249280,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=42644144]NGA阿忆[/uid] (2020-04-21 15:18):
话说手机按照去年7nm，今年5nm，那明年就是3nm，后年就是1nm，大后年是不是就隐形了[s:ac:咦][/quote]到时候就玩不下去了。。
[quote][pid=415249280,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=42644144]NGA阿忆[/uid] (2020-04-21 15:18):
话说手机按照去年7nm，今年5nm，那明年就是3nm，后年就是1nm，大后年是不是就隐形了[s:ac:咦][/quote]5年之内制程游戏真玩不下去了
Reply to [pid=415249280,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=42644144]NGA阿忆[/uid] (2020-04-21 15:18)
怎么可能。今年下半年的麒麟1020和苹果A14 会用台积电 N5，明年用 N5P，后年才可能用 3nm，再过两三年后才有可能出2nm……
三星感觉比较迷，明年的 Exynos 和高通可能会用三星的 5LPE，但三星5nm其实是 7nm 的马甲。
Reply to [pid=415249280,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=42644144]NGA阿忆[/uid] (2020-04-21 15:18)硅原子的直径是0.2nm，1nm工艺基本是硅半体的物理极限。
euv光刻机现在连台积电都用不上，我们着什么急，反正买来也不会用。赶紧把193nmDUV产业链完善了才是正道
Reply to [pid=415251176,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=60763432]fesef234[/uid] (2020-04-21 15:24)
不过物理极限和目前营销的多少 nm 还是有挺大差距的。真正的 3nm 密度大概是 1100Mtr，台积电3nm是290Mtr，你品品……
[quote][pid=415252215,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=42538993]S·L[/uid] (2020-04-21 15:27):
不过物理极限和目前营销的多少 nm 还是有挺大差距的。真正的 3nm 密度大概是 1100Mtr，台积电3nm是290Mtr，你品品……[/quote][s:ac:哭笑]玩++++++呗
Reply to [pid=415252185,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=60361344]bf109f4[/uid] (2020-04-21 15:27)
也不是这么说的，麒麟9905G 的 N7+还是用了几层 EUV 的，NR 只会更多。
不过我也赞同结论，我们国家能钻研好 193nm 的 DUV 光刻机已经足够做出 N7 这样的先进工艺了。
[quote][pid=415252583,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=61819164]mczhao2020[/uid] (2020-04-21 15:29):
[s:ac:哭笑]玩++++++呗[/quote]intel用++++是因为密度真的加了。。14nm家族里，初代14nm是密度最高的，后面多一个+放一点水，密度越来越低。。其实就是用密度换点性能啦
功耗一样的情况下，三星的性能优于台积电。
楼主：三星注水肆无忌惮。
[quote][pid=415255307,21393938,1]Reply[/pid] Post by [uid=7172459]Lsang[/uid] (2020-04-21 15:38):
功耗一样的情况下，三星的性能优于台积电。
楼主：三星注水肆无忌惮。[/quote]你看全文了吗。。。我说的是三星的命名注水，密度相差40%都叫3nm。事实上，台积电三星都注水，但三星都连续注水好几次了，这种行为实在是营销至上，对相对老老实实标的intel实在太不友好。换句话说，有哪家的工艺性能比 14nm+++高呢现在？但intel也没说14+++是7nm啊