SWEETGENE
2021-12-14T16:17:40+00:00
最近为了稳定对中来股份的持股心态自我按摩我读了些卖方研报，刚好卖方机构们似乎也开始吹起了TOPCon，但是卖方们对中来......要么根本不提要么提的很少，按摩力度根本不到位，所以我又去看了些关于光伏电池的论文，了解了一些知识后我感觉卖方吹TOPCon根本没吹到要点，所以我决定自己再写一篇小作文吹吹TOPCon和中来
TOPCon是什么？TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contacts)含意为隧穿氧化层钝化接触，它属于POLO(Polysilicon on Oxide)多晶硅氧化物的一种。
HIT/HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)含意为带有本征薄层的异质结，与TOPCon/POLO本质上都是利用载流子选择性钝化接触层降低载流子在PN结中的损失来实现效率提升的，区别在于选择了不同的钝化接触层
[img]https://img.nga.178.com/attachments/mon_202112/17/jmQ2p-d078ZoT3cSt8-sf.png.medium.jpg[/img]
红实线框代表HJT，空穴选择性和电子选择性接触均采用本征氢化非晶硅薄膜以及p型/n型掺杂氢化非晶硅，右下27.5%是它的理论效率
蓝实线框代表TOPCon，只在电子选择性接触采用氧化硅隧穿层及n+型掺杂的多晶硅，空穴选择性接触的p+掺杂则直接在硅片上进行硼扩散来完成不制备隧穿层，理论效率为27.1%
(表头上th-SiOx热氧化、chem-SiOx化学氧化，以及PECVD和LPCVD的工艺差异应该可以选择性无视，代表了钝化层质量的差异带来的转换效率差异，详细见原文)
我必须承认一点，TOPCon确实只是过渡技术，理论效率确实比HJT要低。BUT，如果在空穴选择性接触也采用氧化硅隧穿层及p+掺杂的多晶硅情况就不一样了，理论效率将高达28.7%(红虚线框)，比HJT的27.5%还要高，这就是另一种POLO结构
那么问题来了，明明有效率更高的POLO结构，先行者中来股份为什么还要选择效率略低的TOPCon结构？醉翁之意不在酒，中来的长远目标根本就不在TOPCon上
IBC是什么？IBC(Interdigitated back contact)叉指背接触是一种背结电池技术，结在这里指的是PN结，背结指IBC电池的PN结全在背面，采用叉指状的电极结构。不同于一般的光伏电池PN结分布在正面和背面，双面都需要栅线电极，IBC电池只有背面有栅线电极，正面无栅线电极和焊带的遮挡可以实现最大化的短路电流、转换效率
中来很早就进行了IBC电池技术的研究，但是IBC如果不结合HJT或者TOPCon/POLO的载流子选择性钝化接触层并不能做到超高转换效率，所以确立了从TOPCon再到TBC的技术升级路线
[img]https://img.nga.178.com/attachments/mon_202112/17/jmQ2p-5xdoK2jT3cSsp-g2.jpg[/img]
TOPCon和IBC简直绝配啊，TOPCon只在背面有钝化接触层而IBC只在背面有PN结和电极。两个技术融合那就成了TBC/POLO-IBC，而且这样PN结的P型和N型区就都有了POLO钝化接触层，也就是说理论效率将高达28.7%！
中来是TOPCon→TBC/POLO-IBC技术路线产业化的开拓者，他们为此参股了光伏设备公司江苏杰太光电，中来持有33%股权，毫无疑问给中来定制光伏设备提供了便利
去年10月中来发布了J-TOPCon2.0技术，江苏杰太光电与中来共同开发了POPAID技术和设备实现了TOPCon工序的四合一，用于电池量产的四合一技术他们应该是全球首发！
TBC/POLO-IBC电池产业化的全球首发也会是他们吗？让我们拭目以待吧[s:ac:上]
[图1] 来源为 Surface passivation of crystalline silicon solar cells: Present and future ，蓝实线框是我自己画上的
[图2] 来源为 中来光电，N型高效TOPCon电池技术研究与产业化进展
TOPCon是什么？TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contacts)含意为隧穿氧化层钝化接触，它属于POLO(Polysilicon on Oxide)多晶硅氧化物的一种。
HIT/HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)含意为带有本征薄层的异质结，与TOPCon/POLO本质上都是利用载流子选择性钝化接触层降低载流子在PN结中的损失来实现效率提升的，区别在于选择了不同的钝化接触层
[img]https://img.nga.178.com/attachments/mon_202112/17/jmQ2p-d078ZoT3cSt8-sf.png.medium.jpg[/img]
红实线框代表HJT，空穴选择性和电子选择性接触均采用本征氢化非晶硅薄膜以及p型/n型掺杂氢化非晶硅，右下27.5%是它的理论效率
蓝实线框代表TOPCon，只在电子选择性接触采用氧化硅隧穿层及n+型掺杂的多晶硅，空穴选择性接触的p+掺杂则直接在硅片上进行硼扩散来完成不制备隧穿层，理论效率为27.1%
(表头上th-SiOx热氧化、chem-SiOx化学氧化，以及PECVD和LPCVD的工艺差异应该可以选择性无视，代表了钝化层质量的差异带来的转换效率差异，详细见原文)
我必须承认一点，TOPCon确实只是过渡技术，理论效率确实比HJT要低。BUT，如果在空穴选择性接触也采用氧化硅隧穿层及p+掺杂的多晶硅情况就不一样了，理论效率将高达28.7%(红虚线框)，比HJT的27.5%还要高，这就是另一种POLO结构
那么问题来了，明明有效率更高的POLO结构，先行者中来股份为什么还要选择效率略低的TOPCon结构？醉翁之意不在酒，中来的长远目标根本就不在TOPCon上
IBC是什么？IBC(Interdigitated back contact)叉指背接触是一种背结电池技术，结在这里指的是PN结，背结指IBC电池的PN结全在背面，采用叉指状的电极结构。不同于一般的光伏电池PN结分布在正面和背面，双面都需要栅线电极，IBC电池只有背面有栅线电极，正面无栅线电极和焊带的遮挡可以实现最大化的短路电流、转换效率
中来很早就进行了IBC电池技术的研究，但是IBC如果不结合HJT或者TOPCon/POLO的载流子选择性钝化接触层并不能做到超高转换效率，所以确立了从TOPCon再到TBC的技术升级路线
[img]https://img.nga.178.com/attachments/mon_202112/17/jmQ2p-5xdoK2jT3cSsp-g2.jpg[/img]
TOPCon和IBC简直绝配啊，TOPCon只在背面有钝化接触层而IBC只在背面有PN结和电极。两个技术融合那就成了TBC/POLO-IBC，而且这样PN结的P型和N型区就都有了POLO钝化接触层，也就是说理论效率将高达28.7%！
中来是TOPCon→TBC/POLO-IBC技术路线产业化的开拓者，他们为此参股了光伏设备公司江苏杰太光电，中来持有33%股权，毫无疑问给中来定制光伏设备提供了便利
去年10月中来发布了J-TOPCon2.0技术，江苏杰太光电与中来共同开发了POPAID技术和设备实现了TOPCon工序的四合一，用于电池量产的四合一技术他们应该是全球首发！
TBC/POLO-IBC电池产业化的全球首发也会是他们吗？让我们拭目以待吧[s:ac:上]
[图1] 来源为 Surface passivation of crystalline silicon solar cells: Present and future ，蓝实线框是我自己画上的
[图2] 来源为 中来光电，N型高效TOPCon电池技术研究与产业化进展