[氵] 对岸不用EUV光刻机就能搞出N7工艺,那我国的高精尖半导体制程还是很有希望嘛

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Kafooie

2021-04-18T14:57:19+00:00

[img]https://img.nga.178.com/attachments/mon_202104/21/-7Q8gzn-bz0rK2pT3cSk3-sg.jpg[/img]
看科普说当初阿斯麦的EUV光刻机研发困难,延期交货,台积电照样能用普通的193DUV光刻机搞出n7工艺,因为他们用saqp四重对焦的方式只处理了Si部分,而电镀铜连线部分还是14nm水平的sadp双重对焦法,以此大大降低了研发难度

既然用不着劳什子euv,那我国把这个变成白菜应该是指日可待吧?如果该方法进一步扩展到Co连线部分的光刻,那制程可以达到6-5nm的水平,这个连intel都失败了[s:pg:满分]
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SimplyDarkness

中芯目前已经做到了N8,就是用193DUV光刻机做的
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Tjmaxmillion

有啥用?一样的美国技术。。。
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Pandadoxical

DUV本来就可以做到7nm啊,现在好像是高精度基台没解决。
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Verniy

[quote][pid=509867361,26429303,1]Reply[/pid] Post by [uid=62443638]奥里给万岁[/uid] (2021-04-21 23:22):

有啥用?一样的美国技术。。。[/quote]咋就成了美国技术。阿期麦也是几十个国家的一百多家公司搞出来的。
再说了,美国咋了,美国的就不能用了?
嘴硬和改善大家水平的同时自研那个好?中国也在搞光刻机。枝术不是慢慢积累?
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Deleted User 61733475

能做是能做
但是良品率呢?
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多重曝光
可以做到
但是成本高啊 然后良率也不行
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朱自清

[quote][pid=509867361,26429303,1]Reply[/pid] Post by [uid=62443638]奥里给万岁[/uid] (2021-04-21 23:22):

有啥用?一样的美国技术。。。[/quote]先做工艺后换设备两者并不冲突
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Somi

看知乎说SMEE的90nm做出来只是在吃灰,193nm Arf沉浸式DUV的也有可能吃灰。
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Kafooie

Reply to [pid=509869602,26429303,1]Reply[/pid] Post by [uid=62757855]-铁流-[/uid] (2021-04-21 23:34)
Reply to [pid=509869861,26429303,1]Reply[/pid] Post by [uid=62492812]糖送八大家丷[/uid] (2021-04-21 23:35)
骁龙855和AMD锐龙3000系列都是台积电n7 duv的产物,也没听说什么良率爆炸啊[s:ac:呆]