BloxFrvits
2021-06-22T18:57:24+00:00
[img]http://img.nga.178.com/attachments/mon_201209/14/-47218_5052bc521c04b.png[/img]
啥时候能等到长鑫的ecc内存呢
Бoos
Reply to [pid=528094888,27390016,1]Reply[/pid] Post by [uid=38664740]haaiso[/uid] (2021-06-29 03:51)直接从DDR5支持也没问题啊，两年后正好DDR5普及，DDR4到时候停产都行，反正DDR4 DDR3存量那么大又不怕卡脖子
Бoos
还有最多两年吧，去年七月有相关文件
安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。根据该文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发
根据该文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。
安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。根据该文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发
根据该文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。
BloxFrvits
[quote][pid=528094538,27390016,1]Reply[/pid] Post by [uid=43318737]世界云首杀[/uid] (2021-06-29 03:41):
还有最多两年吧，去年七月有相关文件
安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优......[/quote]这里说的ecc是DDR5的一部分吧，因为DDR5内存必须支持ECC技术，要做DDR5的话需要攻克里面说的那些技术，如果只做DDR4 ECC内存不知道能不能快一些搞出来
还有最多两年吧，去年七月有相关文件
安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优......[/quote]这里说的ecc是DDR5的一部分吧，因为DDR5内存必须支持ECC技术，要做DDR5的话需要攻克里面说的那些技术，如果只做DDR4 ECC内存不知道能不能快一些搞出来