Boltz
2020-08-27T14:24:41+00:00
[url]https://www.anandtech.com/show/16012/the-sk-hynix-gold-p31-ssd-review[/url]
1、第一款128层NAND的ssd，三星虽然早就宣布量产，但产品一直不知道在哪里。
2、第一颗上市的支持单通道1.2GT/s的主控，Phison E12控制器支持667MT / s的速度，比支持最高800MT / s的Silicon Motion的SM2262(EN)慢一点。现在NAND市场已经扩展到96层及以上，大多数NAND制造商可以支持1.2GT / s(1200MT / s)或更高的速度，但是这些速度不是给定的。就像DRAM一样，NAND芯片可以具有不同的速度等级，而且并不是所有的SSD控制器都可以处理这些速度。SK hynix设计了自己的SSD控制器，并更新了其控制器设计以匹配其以1.2GT / s运行的128L NAND的功能。这为4通道SSD提供充足的空间来饱和PCIe 3.0 x4链接。
3、仅有4通道但是速度相当于8通道，我们习惯将4通道NVMe SSD视为入门级产品。这些设备大多使用较慢的NAND接口速度，并且在峰值内存中仅提供2-2.5 GB / s的峰值吞吐量，而较低的通道数主要是一项削减成本的措施(通常与取消DRAM缓冲区配合使用，以进一步提高成本)减少开支)。Gold P31中使用的SK hynix控制器可能比典型的8通道PCIe gen3 NVMe控制器更便宜，更小，但它旨在与它们直接竞争。SK hynix不会透露该控制器是基于大多数PCIe Gen3 NVMe控制器所使用的28nm工艺构建的，还是正如我们看到的几乎所有PCIE Gen4控制器设计那样，已移至基于FinFET的较小节点上。
1、第一款128层NAND的ssd，三星虽然早就宣布量产，但产品一直不知道在哪里。
2、第一颗上市的支持单通道1.2GT/s的主控，Phison E12控制器支持667MT / s的速度，比支持最高800MT / s的Silicon Motion的SM2262(EN)慢一点。现在NAND市场已经扩展到96层及以上，大多数NAND制造商可以支持1.2GT / s(1200MT / s)或更高的速度，但是这些速度不是给定的。就像DRAM一样，NAND芯片可以具有不同的速度等级，而且并不是所有的SSD控制器都可以处理这些速度。SK hynix设计了自己的SSD控制器，并更新了其控制器设计以匹配其以1.2GT / s运行的128L NAND的功能。这为4通道SSD提供充足的空间来饱和PCIe 3.0 x4链接。
3、仅有4通道但是速度相当于8通道，我们习惯将4通道NVMe SSD视为入门级产品。这些设备大多使用较慢的NAND接口速度，并且在峰值内存中仅提供2-2.5 GB / s的峰值吞吐量，而较低的通道数主要是一项削减成本的措施(通常与取消DRAM缓冲区配合使用，以进一步提高成本)减少开支)。Gold P31中使用的SK hynix控制器可能比典型的8通道PCIe gen3 NVMe控制器更便宜，更小，但它旨在与它们直接竞争。SK hynix不会透露该控制器是基于大多数PCIe Gen3 NVMe控制器所使用的28nm工艺构建的，还是正如我们看到的几乎所有PCIE Gen4控制器设计那样，已移至基于FinFET的较小节点上。