Kafooie
2021-11-15T08:23:32+00:00
最近几天看网文介绍IC制造链，感觉这个行业真是遍地是坑，简直就是我国制造业所有薄弱项目的集合体
从泥潭熟知的“尼康佳能研发浸入式光刻失误，痛失霸主地位”，193nm的ArF光源通过水膜折射能够精确到130nm以下
到远古时代，98年零几年的“铜布线技术，intel和台积电的电镀法打爆IBM的气相沉积蒸镀”(据说这个电镀液配方还没彻底搞清楚)。最后应用到130nm的奔腾三
后来到了2010年前后，SADP双层曝光被开发出来，193DUV光刻机实现28nm的分辨率成为可能；三星-GF和Intel-台积电双方对于High-k和MetalGate工艺争执不下，分道扬镳，最后GF又被IBM坑了，停在28nm止步不前，顺便把AMD也拉下水了
几年以后，胡正明教授在2000年发明的FINFET结构被Intel首次实现出来，IC器件进入3d时代，密度也达到14nm的水平(顺便布了一个专利壁垒)
到了2019年，轮到Intel吃瘪了：台积电成功地开发了SAQP四重曝光工艺，把193nmDUV光刻机的分辨率下放到10nm的水平(量产成品就是zen2处理器)；而Intel因为要上太多新技术，结果10nm工艺不出意外的拉垮，直到EUV光刻机到货才顺利生产出来
在这些关键节点上始终看不到大陆企业。给人感觉就是国内在化学、材料、精工、器件上需要补课的太多！中国已经在航发和航空上取得了突出成绩，但是在IC产业链上还有很长一段路要走
从泥潭熟知的“尼康佳能研发浸入式光刻失误，痛失霸主地位”，193nm的ArF光源通过水膜折射能够精确到130nm以下
到远古时代，98年零几年的“铜布线技术，intel和台积电的电镀法打爆IBM的气相沉积蒸镀”(据说这个电镀液配方还没彻底搞清楚)。最后应用到130nm的奔腾三
后来到了2010年前后，SADP双层曝光被开发出来，193DUV光刻机实现28nm的分辨率成为可能；三星-GF和Intel-台积电双方对于High-k和MetalGate工艺争执不下，分道扬镳，最后GF又被IBM坑了，停在28nm止步不前，顺便把AMD也拉下水了
几年以后，胡正明教授在2000年发明的FINFET结构被Intel首次实现出来，IC器件进入3d时代，密度也达到14nm的水平(顺便布了一个专利壁垒)
到了2019年，轮到Intel吃瘪了：台积电成功地开发了SAQP四重曝光工艺，把193nmDUV光刻机的分辨率下放到10nm的水平(量产成品就是zen2处理器)；而Intel因为要上太多新技术，结果10nm工艺不出意外的拉垮，直到EUV光刻机到货才顺利生产出来
在这些关键节点上始终看不到大陆企业。给人感觉就是国内在化学、材料、精工、器件上需要补课的太多！中国已经在航发和航空上取得了突出成绩，但是在IC产业链上还有很长一段路要走