Boltz
2020-11-08T13:46:18+00:00
在闪存峰会召开之际，美光宣布了其第五代3D NAND闪存，其破纪录的176层。新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来第二代开发的产品，此后美光从浮栅存储单元设计转变为电荷陷阱单元。美光公司的上一代3D NAND是128层设计，是一个短暂过渡节点。
美光仍保留有关其176L NAND的许多技术细节，并计划在本月底共享更多信息。但就目前而言，我们知道他们的第一个176L部件是使用两个88层平台的字符串堆叠构建的512Gbit TLC芯片-就可以制造多少层NAND闪存单元而言，美光现在似乎仅次于三星。
176L裸片的厚度为45μm，总厚度与美光公司的64L浮栅3D NAND相同。16管芯堆叠式封装的厚度不到1.5mm，适合大多数移动和存储卡使用案例。与上一代的Micron 3D NAND一样，芯片的外围逻辑大部分是在NAND存储单元堆栈下制造的，Micron将该技术称为“阵列下CMOS”(CuA)。这一再帮助美光提供了一些最小的裸片尺寸，美光估计他们的176L 512Gbit裸片比其竞争对手目前提供的最佳裸片小约30%。
176L NAND支持的接口速度为1600MT / s，高于其96L和128L闪存的1200MT / s。与96L NAND相比，读(写)延迟提高了35%以上，与128L NAND相比，提高了25%以上。与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比，美光科技的总体混合工作负载改善了约15%。
美光公司的176L 3D NAND已经开始批量生产，并且已经在一些Crucial品牌的消费类SSD产品中发货。但是，美光尚未说明哪些特定Crucial产品现在正在使用176L NAND，因此我们认为目前这是一个相当小批量的产品。尽管如此，在明年，我们应该将176L NAND的产量提高到比其128L工艺所能达到的更高的水平，并且我们可以期望发布基于此176L NAND的各种各样的产品，并取代大多数使用其96L NAND的产品。
[url]https://www.anandtech.com/show/16230/micron-announces-176layer-3d-nand[/url]
美光仍保留有关其176L NAND的许多技术细节，并计划在本月底共享更多信息。但就目前而言，我们知道他们的第一个176L部件是使用两个88层平台的字符串堆叠构建的512Gbit TLC芯片-就可以制造多少层NAND闪存单元而言，美光现在似乎仅次于三星。
176L裸片的厚度为45μm，总厚度与美光公司的64L浮栅3D NAND相同。16管芯堆叠式封装的厚度不到1.5mm，适合大多数移动和存储卡使用案例。与上一代的Micron 3D NAND一样，芯片的外围逻辑大部分是在NAND存储单元堆栈下制造的，Micron将该技术称为“阵列下CMOS”(CuA)。这一再帮助美光提供了一些最小的裸片尺寸，美光估计他们的176L 512Gbit裸片比其竞争对手目前提供的最佳裸片小约30%。
176L NAND支持的接口速度为1600MT / s，高于其96L和128L闪存的1200MT / s。与96L NAND相比，读(写)延迟提高了35%以上，与128L NAND相比，提高了25%以上。与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比，美光科技的总体混合工作负载改善了约15%。
美光公司的176L 3D NAND已经开始批量生产，并且已经在一些Crucial品牌的消费类SSD产品中发货。但是，美光尚未说明哪些特定Crucial产品现在正在使用176L NAND，因此我们认为目前这是一个相当小批量的产品。尽管如此，在明年，我们应该将176L NAND的产量提高到比其128L工艺所能达到的更高的水平，并且我们可以期望发布基于此176L NAND的各种各样的产品，并取代大多数使用其96L NAND的产品。
[url]https://www.anandtech.com/show/16230/micron-announces-176layer-3d-nand[/url]