Harentz
2021-03-19T08:38:09+00:00
在2021慕尼黑上海电子生产设备展上，听到了一些不太乐观的消息。目前国产光刻机，光源功率，工作台精度和AMSL差距极大，十四五做到ASML的1980Di都不错了，至于能不能达到ASML的2050i很难，EUV这五年基本也看不到，2025做个样机都很快了，至于达到能用的量产机跑完验证估计也2027年了，这个时候ASML的NEX5000都量产好几年了吧。
时间，时间，时间，2025是最关键的时间节点。2025年左右美国取代现有东亚布局的新的立足于本土半导体产业新布局就全面完成了。美国全力打压中国态势已经非常明显了，如果高制程跟人家差距拉大，产业下游被封锁和套牢的压力传导会更大。美国已经公开叫嚣摆明不择一切手段打压中国了，对中国来说时间最重要。如果能2025年-2027年前，也就是美国新的产业链布局完成前，在最关键的半导体产业把差距拉近到3年左右，美帝会被彻底逼上谈判桌，做出实质让步。
2025年摸到14nm???也就是说基本四年后达到英特尔15年到现在的水平，都能笑醒了好吧？
热知识，现在，2021年英特尔还是14nm。[s:ac:哭笑]
2025年能到这个水平我做梦都能笑醒。
达不到这是明牌吧。。 关键研究路径被卡脖子还有人指望技术爆炸？
[quote][pid=503393141,26079050,1]Reply[/pid] Post by [uid=42519580]死人13号[/uid] (2021-03-27 16:50):
2025年摸到14nm???也就是说基本四年后达到英特尔15年到现在的水平，都能笑醒了好吧？[/quote]摸到不代表可以商业化量产，摸到以后最起码还要1年时间才能大规模量产，2-3年把成本降到有商业竞争力。
[s:ac:哭笑]别的不评价 你这个中国2025年摸到14mm跟你后面写的美国2025年完成本土半导体布局基本是一个意思
[s:ac:哭笑]我都不知道这文章是忽悠谁
[quote][pid=503393631]Reply[/pid] Post by [uid=10667702]一刀ㄨ瞬[/uid] (2021-03-27 16:52):
摸到不代表可以商业化量产，摸到以后最起码还要1年时间才能量产，2-3年把成本降到有竞争力。[/quote]先解决有无问题
你解决了有无，人家就不会那这个卡你脖子。
比如现在光刻机，DUV能卖给你，EUV不卖
14nm可以满足目前90%芯片的需求，如果5年内完全自主的光刻机能够达到这个水平，笑醒了好么。
台积电三星再牛，也只是采购ASML的光刻机才能做出5nm、7nm。
如果把我们手上的DUV用好，也应该能达到7nm的。
现在基本都认为2025 14nm 2020最多出个euv样机吧
也就是20-30年就可以赶超欧美了嘛？
这不是利好么. 我们国家太难了，什么都要去跟全世界比.
duv是可以做到7nm的，而且台积电用来做n7的光刻机中国也有，只是在我们手里最多只能做14nm[img]http://img.nga.178.com/attachments/mon_201209/14/-47218_5052bc4cc6331.png[/img]
上海微电子确实差距太大了，现在能做28制程的光刻机都没搞出来
之前中芯国际梁那个辞职信上不是说中芯国际2021年4月14nm开始进行风险量产吗？7nm完事具备就差光刻机，这个应该不是吹牛逼吧？风险量产到量产要4年？
目前我国有90nm自研光刻机和48nm成熟芯片制造工艺和技术无惧外国技术封锁，[s:ac:哭笑]
会好起来的
28nm到10nm需求极大的好吧，能提高国产化率笑都能笑醒了好吧，10nm以下10年内都不用急的。
[quote][pid=503394754,26079050,1]Reply[/pid] Post by [uid=34719714]公务员为什么不能涨薪[/uid] (2021-03-27 16:57):
之前中芯国际梁那个辞职信上不是说中芯国际2021年4月14nm开始进行风险量产吗？7nm完事具备就差光刻机，这个应该不是吹牛逼吧？风险量产到量产要4年？[/quote]中芯国际用的设备也不是纯国产，高端用的还是asml得光刻机。另外duv机器本身就可以做到n7。。这个机器我们有